| 发明名称 | 全硅化外基极晶体管 | ||
| 摘要 | 一种系统及方法包括在集电极上形成内基极。所述系统和方法还包括通过在预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化基本上停止于所述内基极处。所述系统和方法还包括形成与所述外基极和所述集电极物理隔离而与所述内基极物理接触的发射极。 | ||
| 申请公布号 | CN101038877A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710086007.X | 申请日期 | 2007.03.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | F·帕基特;A·W·托波尔;D·C·阿尔格伦;G·M·科昂;C·拉沃耶 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L29/73(2006.01);H01L29/737(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种制造结构的方法，包括：在集电极上形成内基极；通过预定温度下和预定时间量内的自限制硅化工艺，在所述内基极上形成全硅化外基极，所述硅化外基极的所述形成基本上停止于所述内基极处；以及形成与所述外基极和所述集电极电绝缘的发射极，所述发射极与所述内基极电接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||