| 发明名称 | 孔的两次曝光成像光微影方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种孔的两次曝光成像光微影方法，其步骤包括：涂胶、软烘烤后，先进行第一次曝光，然后进行第二次曝光，然后通过照后烤、显影及硬烤完成小尺寸孔的光刻工艺。本发明可以应用于晶圆制造中0.15um以及以下的孔的光刻工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN1888980A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
| 申请号 | CN200510027258.1 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王伟斌 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种孔的两次曝光成像光微影方法，应用于晶圆制造中0.15um以及以下的孔的光刻工艺，除进行光刻工艺的涂胶、软烘烤外，其特征是，还包括：先进行第一次曝光，然后进行第二次曝光，然后通过照后烤、显影及硬烤完成小尺寸孔的光刻工艺。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||