ADDITIVE FOR RESIST AND RESIST COMPOSITION COMPRISING SAME

摘要

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 첨가제는 레지스트 조성물에 적용시 노광 공정에서는 레지스트막 표면의 소수성을 높여 이머젼 리소그래피시 물에 의한 리칭을 억제하고, 우수한 감도 및 해상도를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성할 수 있다: [화학식 1]상기 식에서 각 치환기는 명세서 중에서 정의된 바와 같다.