一种采用L‑MBE和MOCVD技术在Si衬底上生长的LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种采用L‑MBE和MOCVD技术在Si衬底上生长的LED外延片，包括Si衬底以及在Si衬底上依次生长的单晶Al薄膜、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层以及p‑GaN层；自单晶Al薄膜向n‑GaN层的方向，AlGaN缓冲层中Al组分的含量逐渐降低；所述单晶Al薄膜是采用L‑MBE方法生长的，所述AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层和p‑GaN层是采用MOCVD方法生长的。发明还公开了该LED外延片的制备方法。本发明制备的LED外延片，晶体质量高，缺陷密度低，具有优异的电学和光学性质。

主权项

一种采用L‑MBE和MOCVD技术在Si衬底上生长的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底以及在Si衬底上依次生长的单晶Al薄膜、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层以及p‑GaN层；自单晶Al薄膜向n‑GaN层的方向，AlGaN缓冲层中Al组分的含量逐渐降低；所述单晶Al薄膜是采用L‑MBE方法生长的，所述AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层和p‑GaN层是采用MOCVD方法生长的。