Halbleitervorrichtung und Halbleitermodul

摘要

In einer Halbleitervorrichtung (1) ist ein Elementbildungsbereich, der mit einem Halbleiterelement zum Steuern eines Stroms ausgebildet ist, auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (3) definiert. Ein Abschlussbereich ist zum Umschließen des Elementbildungsbereichs definiert. In einer Gate-Elektrode (9) sind ein Sonden-Kontaktbereich (13) und ein Drahtbereich (15) definiert. Der Sonden-Kontaktbereich und der Drahtbereich sind durch einen Isolator (17) getrennt, der auf einer Oberfläche der Gate-Elektrode ausgebildet ist. Somit sind die Oberfläche des Sonden-Kontaktbereichs und die Oberfläche des Drahtbereichs auf gleicher Höhe angeordnet.