发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 형성된 제1 발광부 및 제2 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층을 포함하며, 제1 발광부 및 제2 발광부 주변의 복수의 반도체층이 제거되어 형성된 식각부에 의해 서로 절연된 제1 발광부 및 제2 발광부; 식각부에 대응하는 기판 전체를 덮는 절연층; 제1 발광부와 제2 발광부 사이의 절연층 위를 가로지르며, 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 연결 전극; 제1 발광부, 제2 발광부, 및 절연층을 덮는 절연성 반사층; 제1 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극부; 그리고 제2 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극부;를 포함하며, 제1 전극부 및 제2 전극부 중 적어도 하나는 절연성 반사층 위에 형성되는 제1 상부 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 복수의 반도체층을 전기적으로 연통하는 제1 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160126944(A) 申请公布日期 2016.11.02
申请号 KR20160135718 申请日期 2016.10.19
申请人 SEMICON LIGHT CO., LTD. 发明人 KIM, TAE HYUN;JEON, SOO KUN;KIM, TEA JIN
分类号 H01L33/36;H01L33/10;H01L33/62 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
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