| 摘要 |
본 발명의 공핍형(depletion mode) 박막 트랜지스터의 측정방법은 모기판의 패널영역에 화소부 박막 트랜지스터를 형성할 때 동일한 공정으로 모기판의 더미영역에 테스트 소자를 형성하고, 상기 테스트 소자의 채널부 저항을 측정함으로써 화소부 박막 트랜지스터의 채널불량 여부를 판단하기 위한 것으로, 패널영역 및 더미영역으로 구분되는 어레이 기판용 모기판을 제공하는 단계; 상기 패널영역의 어레이 기판에 게이트전극, 액티브층, 소오스/드레인전극 및 화소전극으로 구성되는 공핍형 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 더미영역의 어레이 기판에 더미 액티브층과 더미 소오스/드레인전극 및 더미 제 1, 제 2 전극으로 구성되는 테스트 소자를 형성하는 단계; 및 상기 더미 소오스전극과 더미 드레인전극 사이에 전압을 인가하여 상기 더미 소오스전극과 더미 드레인전극 사이에 흐르는 전류를 측정하는 단계를 포함한다. |
