PROCEDE DE FABRICATION DE SILICIUM CRISTALLIN DE QUALITE PHOTOVOLTAIQUE PAR AJOUT D'IMPURETES DOPANTES

摘要

La fabrication de silicium cristallin de qualité photovoltaïque est réalisée par cristallisation d'une charge de silicium fondu dont la somme des concentrations initiales en éléments dopants donneurs et en éléments dopants accepteurs est supérieure à 0,1ppma, et dont chacune des concentrations en éléments dopants accepteurs et donneurs est inférieure à 25ppma. Les concentrations en matériaux dopants de type donneur et accepteur présents initialement dans la charge sont déterminées. Au moins quantité prédéfinie d'un matériau dopant ayant un coefficient de ségrégation inférieur à 0,1 est ajoutée à la charge. Cet ajout permet la réalisation d'un silicium cristallisé dont la différence entre les profils de dopage de type donneurs et accepteur est comprise entre 0,1 et 5ppma sur au moins 50% du silicium solidifié.