Verfahren zur Herstellung von einer Chalcopyrit-Halbleiterdünnschichtstruktur mit einem spezifischen Dotiermaterial,申请号DE1994631535-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von einer Chalcopyrit-Halbleiterdünnschichtstruktur mit einem spezifischen Dotiermaterial
摘要
申请公布号	DE69431535(D1)	申请公布日期	2002.11.14
申请号	DE1994631535	申请日期	1994.02.10
申请人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.	发明人	NEGAMI, TAKAYUKI;NISHITANI, MIKIHIKO;KOHIKI, SHIGEMI;WADA, TAKAHIRO
分类号	H01L21/363;H01L31/032;H01L31/04;H01L33/28;H01L33/30;H01L33/40;H01S5/00;(IPC1-7):H01L31/032;H01L33/00	主分类号	H01L21/363
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