用在栓塞表面区域之表面结构改良

摘要

一半导体元件中的一个包括有一栓塞表面之表面结构，可藉由移除材料以生成具有至少一栓塞表面区域(典型地为钨或铜栓塞区域)其包括有一凹陷区域的一第一平面化表面而改善。一材料系沈积于此第一平面化表面之上以及此凹陷区域之顶部内，以生成一材料层。此材料层接着被移除以生成一第二平坦化表面，而此材料则仍留在此凹陷区域之顶部内。为了形成一半导体相转换记忆元件，一相转换元件系形成于第二平面化表面之至少一栓塞区域(做为一第一电极)以及一第二电极之间。

主权项

一种用以改良一半导体装置之一表面之表面结构之方法，该结构中包括至少一栓塞其具有一空洞形成于其中，该方法包括：藉由从该半导体装置移除一第一材料以生成一第一平面化表面及于该栓塞中生成包括一凹陷区域以裸露出该空洞，该凹陷区域于该第一平面化表面包括一顶部部分；沈积一材料于该第一平面化表面之上，以生成一材料层，其中该沈积步骤更包括沈积该材料于该凹陷区域之该顶部部分内；以及移除该材料层以创造一第二平面化表面，使得该材料沈积进入该凹陷区域而在该第二平面化表面具有一顶部表面。