发明名称 |
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器 |
摘要 |
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路,然后在回路中通以适当的电流,使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内,并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时,把两电极引线和电信号检测设备相连接,当有光束照射在纳米线簇的位置时,电路中电导会发生显著变化,其光电导的数值依赖于入射光的强度,即当光强增加时,光电导数值也会增加,反之,当光强减小时,光电导数值也会减小,且其光电响应速度很快。 |
申请公布号 |
CN101026197A |
申请公布日期 |
2007.08.29 |
申请号 |
CN200710064946.4 |
申请日期 |
2007.03.30 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
孙家林;朱嘉麟;许佳;郭继华 |
分类号 |
H01L31/102(2006.01);H01L31/032(2006.01);H01G9/20(2006.01);G01J1/42(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/102(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1.一种基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,其特征在于:该光电导传感器含有宏观长度的具有氧化亚铜包裹层的铜纳米线簇(2),该具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇(2)的两端分别与两电极(3)相连接,并且具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇(2)和连接它的电极端一起真空封装于石英套管(1)内,在石英套管外部伸出两电极的另一端作为引线。 |
地址 |
100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |