| 发明名称 | 半导体器件的金连接线及其生产方法 | ||
| 摘要 | 一种用于实现窄间距连接的半导体器件的金连接线及其生产方法，其特征在于所述的金连接线具有增加的强度和弹性模量、稳定的拱线形状；抑制了连接线变形；抑制了倾斜；彻底改善了楔形接点的接合或者耐损耗特性，并且提高了工业规模上的生产率。在所述用于半导体器件的金连接线的纵向截面上的晶粒结构中，在连接线纵向的晶体取向中，[111]取向的晶粒面积与[100]取向的晶粒面积的比值不小于1.2。 | ||
| 申请公布号 | CN100352026C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200380100358.1 | 申请日期 | 2003.10.03 |
| 申请人 | 新日本制铁株式会社 | 发明人 | 宇野智裕;寺岛晋一;巽宏平 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种用于半导体器件的金连接线，其中，在连接线纵向截面上的晶粒结构中，在连接线纵向的晶体取向中，[111]取向的晶粒面积与[100]取向的晶粒面积的比值不小于1.2。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||