| 发明名称 | 超快光开关用硫卤玻璃及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超快光开关用硫卤玻璃。超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>、MX、As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>和GeS<SUB>2</SUB>原料制备而成，各原料所占摩尔％为：In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>：20～35，MX：25～40，As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>：4～10，GeS<SUB>2</SUB>：20-50，各原料含量之总和为100摩尔％；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。本发明具有优良的综合品质，大的三阶非线性系数、在通讯波长处较小的非线性吸收、亚皮秒的超快光响应速度、较好的玻璃形成能力、较低的本征损耗、宽的透过窗口、较大的线性光学折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN100375727C | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200610018283.8 | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 陶海征;赵修建;肖海燕;林常规;董国平;毛舜 |
| 分类号 | C03C3/32(2006.01) | 主分类号 | C03C3/32(2006.01) |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 唐万荣 |
| 主权项 | 1.超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In2S3、MX、As2S3和GeS2原料制备而成，各原料所占摩尔％为：In2S3：20～35，MX：25～40，As2S3：4～10，GeS2：20-50，各原料含量之总和为100摩尔％；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。 | ||
| 地址 | 430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||