发明名称 | 热处理方法和热处理装置、基板处理装置 | ||
摘要 | 作为热处理装置的热处理单元(4)具有:腔室(42),收容形成有低介电常数层间绝缘膜的晶片(W);蚁酸供给机构(44),向该腔室(42)内供给气相的蚁酸;和加热器(43),在通过蚁酸供给机构(44)供给蚁酸后的腔室(42)内,对晶片(W)进行加热。 | ||
申请公布号 | CN101461042A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
申请号 | CN200780020384.1 | 申请日期 | 2007.05.28 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典 |
分类号 | H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
主权项 | 1. 一种热处理方法,其特征在于,包括:准备具有通过涂布形成的膜的基板的步骤;和在具有还原性的有机化合物的气氛下,对所述基板进行加热的步骤。 | ||
地址 | 日本东京都 |