集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法

摘要

集成有机/无机互补薄膜晶体管电路包含工作中连接的公共衬底上的第一和第二晶体管,其中的第一晶体管是无机薄膜晶体管,而第二晶体管是有机薄膜晶体管。无机薄膜晶体管是n沟道晶体管,而有机薄膜晶体管是p沟道晶体管,反之亦然。各个晶体管具有分隔的栅电极,且在有机薄膜晶体管中的p沟道半导体的情况下,有机有源晶体管材料被电隔离于无机薄膜晶体管。在制造这种晶体管电路的第一方法中,在公共衬底上淀积各个晶体管的分隔的栅电极,在有机薄膜晶体管的薄膜结构的同一层上淀积有机薄膜晶体管的源电极和漏电极材料,以及在各个情况下提供电隔离于无机n沟道晶体管的有机p沟道晶体管中的有机有源半导体材料,以及可选地电隔离于无机p沟道晶体管的有机n沟道晶体管中的有机有源半导体材料。

主权项

1．一种集成无机/有机互补薄膜晶体管电路，它包含工作中连接的提供在公共衬底上的第一和第二晶体管，其中的第一晶体管是无机薄膜晶体管，而第二晶体管是有机薄膜晶体管，且其中的互补薄膜晶体管电路形成多层薄膜结构，其特征是无机薄膜晶体管是n沟道晶体管，而有机薄膜晶体管是p沟道晶体管，反之亦然，在每种情况下，有机有源晶体管材料分别是p沟道有机半导体材料或n沟道有机半导体材料，提供用于各个晶体管的分隔的栅电极，在各个情况下提供电隔离于无机n沟道晶体管的有机p沟道晶体管中的有机有源半导体，以及可选地提供电隔离于无机p沟道晶体管的有机n沟道晶体管中的有机有源半导体。