| 发明名称 | 非挥发性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括一基材以及一堆栈结构。堆栈结构设置于基材上且位于基材的一源极区及一漏极区之间。堆栈结构至少包括一穿隧氧化层、一电荷陷入层及一介电层。电荷陷入层设置于穿隧氧化层上，介电层设置于电荷陷入层上。介电层为具有一介电常数的一材料，并且通过进行一工艺，由一第一固态相转变为一第二固态相。 | ||
| 申请公布号 | CN101162738A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200610131866.1 | 申请日期 | 2006.10.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖升志;吕函庭 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储器，包括：基材，具有源极区及漏极区；以及堆栈结构，设置于该基材上且位于该源极区及该漏极区之间，该堆栈结构至少包括：穿隧氧化层；电荷陷入层，设置于该穿隧氧化层上；及介电层，设置于该电荷陷入层上，该介电层为具有介电常数的材料，并且通过进行工艺，由第一固态相转变为第二固态相。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||