マーク形成方法及びデバイス製造方法

摘要

ショット領域及びスクライブライン領域を有するウエハのデバイス層に、ブロック共重合体を含むポリマ層が付着可能な中性層を形成するステップと、スクライブライン領域に形成された中性層を除去するステップと、スクライブライン領域にマーク像を露光し、マーク像に基づいて凹部を含むマークを形成するステップと、ウエハＷのデバイス層上にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布するステップと、を含む。ブロック共重合体の自己組織化を用いて回路パターンを形成する際に、並列にマークを形成できる。