用于金属集成的新颖结构和方法

摘要

提供了一种互连结构及其制造方法，所述互连结构包括在过孔开口中的一个的底部处的刨削特征。根据本发明，形成所述互连结构的方法既不会损坏在上覆的线路开口中的淀积的扩散阻挡层的覆盖，也不会将Ar溅射引起的损伤引入到包括过孔和线路开口的介质材料中。根据本发明，这样的互连结构只在所述过孔开口内而不在所述上覆的线路开口中包含扩散阻挡层。该特征增强了所述过孔开口区域周围的机械强度和扩散特性而不会减小在所述线路开口内部的导体的体积分数。根据本发明，通过在形成所述线路开口和在所述线路开口中淀积扩散阻挡层之前在所述过孔开口底部提供刨削特征，来获得这样的互连结构。

主权项

1. 一种半导体结构，包括：下互连层，包括具有嵌入其中的至少一个导电特征的第一介质材料；介质覆层，位于所述第一介质材料上和所述至少一个导电特征的一些但并非所有的部分上；以及上互连层，包括具有设置于其中的至少一个导电填充的过孔和上覆的导电填充的线路，其中所述导电填充的过孔通过锚定区域接触所述第一互连层的所述至少一个导电特征的暴露的表面，所述导电填充的过孔通过第一扩散阻挡层与所述第二介质材料分离，以及所述导电填充的线路通过第二连续扩散阻挡层与所述第二介质材料分离，由此所述第二介质材料包括在邻近所述导电填充的线路的区域中的无损伤区域。