| 摘要 |
불휘발성 메모리를 갖는 반도체 장치의 신뢰성이나 성능을 향상시킨다. 반도체 기판 SB 위에 절연막 GF를 개재하여 선택 게이트 전극 SG가 형성되고, 선택 게이트 전극 SG의 양쪽의 측면 위에는 측벽 절연막인 절연막 SP가 형성되어 있다. 반도체 기판 SB 위에 전하 축적부를 갖는 절연막 MZ를 개재하여 메모리 게이트 전극 MG가 형성되어 있고, 선택 게이트 전극 SG와 메모리 게이트 전극 MG는, 절연막 SP 및 절연막 MZ를 개재하여 인접하고 있다. 절연막 SP는, 메모리 게이트 전극 MG 아래에는 형성되어 있지 않다. 반도체 기판 SB와 메모리 게이트 전극 MG 사이에 개재하는 절연막 MZ의 두께 T1보다도, 선택 게이트 전극 SG와 메모리 게이트 전극 MG 사이에 개재하는 절연막 SP 및 절연막 MZ의 합계의 두께 T2가 크다. |
