| 发明名称 | 形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一具有多个硅化的多晶硅结构的半导体组件，其中是提供所述多晶硅结构一大致均匀的硅化反应。闲置多晶硅结构于硅化反应前形成于基底上，其可允许芯片表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与硅化反应的金属量于不同多晶硅结构中大致均匀地分布。 | ||
| 申请公布号 | CN1599078A | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN200410048134.7 | 申请日期 | 2004.06.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;王志豪;胡正明 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/76;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体芯片，其包括：一包含一主动区的半导体基底，一第一结构形成于主动区上，该第一结构是完全硅化，以及至少一闲置硅化物结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||