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Verfahren für die Herstellung eines Halbleiter-Bauelements werden offengelegt. Zu einem dargestellten Verfahren gehört: das Ätzen eines Halbleitersubstrats, um einen Graben auszubilden, das Ausbilden eines ONO-Films auf dem Halbleitersubstrat, das Entfernen des ONO-Films von der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats, während er an einer Innenwandoberfläche des Grabens belassen wird, das Ausbilden eines Gate-Oxidfilms auf dem Halbleitersubstrat neben dem ONO-Film, das Abscheiden von Polysilizium auf dem Halbleitersubstrat und das gezielte Entfernen des Polysiliziums, um SONOS-Gate-Elektroden auf dem Gate-Oxidfilm bzw. dem Graben auszubilden. Da gegenüberliegende Seiten der Polysilizium-Gate-Elektrode mit einer ONO-Schicht bedeckt werden, könnte die Größe des Nitridfilms wesentlich maximiert werden.
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