| 发明名称 |
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| 摘要 |
【課題】基板上に形成する膜の組成比の制御性を向上させる。【解決手段】基板に対して所定元素を含む原料を供給する工程と、基板に対して窒素および炭素を含む第１反応体を供給する工程と、基板に対して窒素を含む第２反応体を供給する工程と、基板に対して酸素を含む第３反応体を供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、各サイクルでは、第２反応体の供給量を第１反応体の供給量よりも小さくする。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP6055879(B1) |
申请公布日期 |
2016.12.27 |
| 申请号 |
JP20150155526 |
申请日期 |
2015.08.05 |
| 申请人 |
株式会社日立国際電気 |
发明人 |
橋本 良知;▲ひろせ▼ 義朗;松岡 樹 |
| 分类号 |
H01L21/316;C23C16/42;H01L21/31;H01L21/318 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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