| 发明名称 |
METHOD FOR ETCHING THE GATE IN MOS TECHNOLOGY USING A SiON BASED HARD MASK |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0904599(B1) |
申请公布日期 |
2002.09.25 |
| 申请号 |
EP19970928309 |
申请日期 |
1997.06.09 |
| 申请人 |
FRANCE TELECOM |
发明人 |
SCHIAVONE, PATRICK;GAILLARD, FREDERIC |
| 分类号 |
H01L21/302;G03F7/09;H01L21/027;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/027;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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