发明名称 解除键合互连结构
摘要 本主题涉及微电子装置制造领域。在至少一个实施例中,本主题涉及互连的形成,在微电子装置附着至外部装置之后的冷却过程中,所述互连的一部分变得与所述微电子装置解除键合。解除键合的部分允许互连产生挠曲,并吸收应力。
申请公布号 CN102835194B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201180017441.7 申请日期 2011.03.31
申请人 英特尔公司 发明人 Q·马;J·何;P·莫罗;P·B·菲舍尔;S·巴拉克夏南;S·拉达克里希南;T·T·安徳留先科夫;G·许
分类号 H05K3/32(2006.01)I;H05K1/18(2006.01)I 主分类号 H05K3/32(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;夏青
主权项 一种互连,包括:具有第一部分和第二部分的互连延伸部;所述互连延伸部的所述第一部分粘附至导电粘附层,其中所述导电粘附层的一部分和所述互连的所述第一部分的一部分延伸到微电子装置的电介质层中,所述导电粘附层粘附至所述电介质层;与所述电介质层毗连的金属氧化物释放层;以及所述互连延伸部的所述第二部分毗连所述金属氧化物释放层,其中所述互连延伸部的所述第二部分适于在由热膨胀失配导致的应力作用下在所述金属氧化物释放层处与所述微电子装置的所述电介质层解除键合。
地址 美国加利福尼亚