| 主权项 |
一种半导体处理室用之限制组件，其包含：彼此上下叠设的复数个限制环，该复数个限制环中每一者藉由一间距来作分隔，该复数个限制环中之每一者具有复数个形成于其中之孔；一柱塞，延伸通过相对应之限制环的对准孔，该柱塞可在实质上与该限制环直交的一平面上移动；及一比例调整支撑构件，固定在该柱塞上，该比例调整支撑构件用以支撑该等限制环，使得当该柱塞在该平面上移动时，成比例地调整分隔该复数个限制环中每一者的该间距，其中该比例调整支撑构件包含复数个突出部，该突出部具有之直径较穿过该复数个限制环中之每一者所形成的该复数个孔之直径更大，其中该柱塞及一套管系穿过该复数个孔中之每一者而配置。如申请专利范围之第1项之半导体处理室用之限制组件，其中该套管为一伸缩套管。如申请专利范围之第2项之半导体处理室用之限制组件，其中该伸缩套管包含：复数个突出部，该突出部之该数目相等于限制环之数目。如申请专利范围之第2项之半导体处理室用之限制组件，其中该伸缩套管包含：一非反应性聚合物的一包覆膜。如申请专利范围之第1项之半导体处理室用之限制组件，更包含：一凸轮从动件，固定于该柱塞上；及一凸轮环，其中该凸轮从动件与其作滚动接触。一种半导体处理室，包含：复数个限制环，用以将一电浆限制在该处理室之一区域内；复数个伸缩套管，支撑该限制环；及复数个柱塞，固定在相对应之伸缩套管上，该复数个柱塞沿着实质上与该限制环之一平面直交的一轴作移动，俾使该复数个柱塞之移动造成该复数个限制环间之间距受到比例调整，其中该复数个伸缩套管中之每一者包含：复数个突出部，该突出部具有之直径较穿过该复数个限制环中之每一者所形成的孔之直径更大，其中该柱塞其中一者及该伸缩套管其中一者系穿过该孔而配置。如申请专利范围之第6项之半导体处理室，更包含：一凸轮环，配置在该处理室之一上表面上。如申请专利范围之第7项之半导体处理室，更包含：凸轮从动件，对应地固定于该柱塞中之每一者，该凸轮从动件中之每一者与该凸轮环作滚动连接。如申请专利范围之第7项之半导体处理室，更包含：与该复数个柱塞中之每一者相对应之弹簧，该弹簧提供迫使该相对应之凸轮从动件抵靠于该凸轮环之一表面上的张力。如申请专利范围之第7项之半导体处理室，其中该凸轮环包含：一上倾斜面；及一下倾斜面。一种将电浆限制在蚀刻室中之方法，该蚀刻室具有申请专利范围第1项之半导体处理室用之限制组件，该方法包含下列步骤：一蚀刻步骤，在该蚀刻室中施行一蚀刻处理；一处理参数监控步骤，监控该蚀刻室之处理参数；及一间距调整步骤，令该柱塞在实质上与该限制环直交的该平面上移动，俾能成比例地调整分隔该复数个限制环中每一者的该间距。如申请专利范围之第11项之将电浆限制在蚀刻室中之方法，其中该处理参数监控步骤包含：监控一蚀刻室压力；判断将该蚀刻室压力应增大或减小。如申请专利范围之第11项之将电浆限制在蚀刻室中之方法，其中该间距调整步骤包含：膨胀一组伸缩囊以减少该蚀刻室之一压力；及收缩一组伸缩囊以增加该蚀刻室之压力。如申请专利范围之第11项之将电浆限制在蚀刻室中之方法，其中该间距调整步骤更包含：改变固定于该柱塞之一凸轮从动件的位置。如申请专利范围之第11项之将电浆限制在蚀刻室中之方法，其中该间距调整步骤系由该处理参数中之一者的改变所触发。 |
