| 发明名称 | 氮化物半导体发光装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光装置的制造方法，在包括夹置于衬底(101)上的n型氮化物半导体层(103、104)和p型氮化物半导体层(106至108)之间的氮化物半导体有源层(105)的氮化物半导体发光装置的制造方法中，n型层、有源层和p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且表面活性剂材料在包括在多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后提供到晶体生长表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101330121A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810125316.8 | 申请日期 | 2008.06.18 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 小河淳;驹田聪;高冈宏树;中津弘志 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种制造氮化物半导体发光装置的方法，所述氮化物半导体发光装置包括夹置于衬底上的n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，其中所述n型层、所述有源层和所述p型层的至少任何之一包括多层膜结构，并且在包括在所述多层膜结构中的层的晶体生长之前、期间或者之后，将表面活性剂材料提供到晶体生长表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||