| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist einen Feldeffekttransistor (200) in einem Halbeitersubstrat (100) mit einer ersten Oberfläche (110) auf. Der Feldeffekttransistor (200) weist eine erste Feldplattenstruktur (2101) sowie eine zweite Feldplattenstruktur (2102) auf, die jeweils in einer ersten Richtung parallel zur ersten Oberfläche (110) verlaufen, sowie Gateelektrodenstrukturen (220), die über der ersten Oberfläche (110) angeordnet sind und in einer zweiten Richtung parallel zur ersten Oberfläche (110) verlaufen, wobei die Gateelektrodenstrukturen (220) zwischen den ersten und den zweiten Feldplattenstrukturen (2101, 2102) angeordnet sind. |
