氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜

摘要

本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×10¹⁸cm^‑3、载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。

主权项

一种氧化物烧结体，其特征在于，以氧化物的形式含有铟、镓以及镁，并且，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.45以下，并且，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的所述镁的含量是0.0001以上且小于0.05，所述氧化物烧结体由方铁锰矿型结构的In₂O₃相以及作为In₂O₃相以外的生成相的β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相构成，或者由方铁锰矿型结构的In₂O₃相以及作为In₂O₃相以外的生成相的β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相与(Ga，In)₂O₃相构成，所述氧化物烧结体实质上不包含In(GaMg)O₄相、MgGa₂O₄相、In₂MgO₄相、Ga₂O₃相。