首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 INDUCTANCE AND CAPACITANCE CHARGE PUMP CIRCUIT FOR DRIVING POWER MOS TRANSISTOR BRIDGES
摘要
申请公布号 EP0351898(A3) 申请公布日期 1991.03.27
申请号 EP19890201476 申请日期 1989.06.08
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 ROSSI, DOMENICO;DIAZZI, CLAUDIO
分类号 H02M3/07;H02M3/155;H02M3/156;H02M7/538;H03K17/06;H03K17/082;H03K17/60;(IPC1-7):H03K17/06;H03K17/08 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com