用于太阳能电池和组件制造的沉积半导体层的技术和装置

摘要

本发明以不同实施方案有利地提供了形成具有宏观尺度及微观尺度组成均匀性的高品质、致密、良好附着的IBIIIAVIA族化合物薄膜的低成本沉积技术。还提供了将在这些化合物薄膜上制作的太阳能电池单片集成以形成组件的方法。在一个实施方案中，提供了在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法，并且包括步骤：在基底上沉积成核层和/或籽晶层以及在该成核层和/或籽晶层上电镀包含IB族材料和至少一种IIIA族材料的前体膜，以及使电镀的前体膜与VIA族材料反应。还描述了其它实施方案。

主权项

1.在基底的接触层上制备Cu(In，Ga)(S，Se)2化合物层的方法，该方法包括，在接触层上沉积成核层，和通过湿法处理技术在成核层上形成前体膜。