| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法。所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括铜金属层；位于所述铜金属层上的阻挡层；位于所述阻挡层上的遮光层，所述遮光层至少用于遮挡紫外线；位于所述遮光层上的层间介质层，所述层间介质层是低K或超低K的多孔材料。所述半导体结构的制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括铜金属层；在所述铜金属层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成遮光层，所述遮光层至少用于遮挡紫外线；在所述遮光层上形成低K或超低K的层间介质层；对所述层间介质层进行紫外线处理。本发明可以提高铜金属层与阻挡层之间的结合力，最终提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103681596B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210365175.3 | 申请日期 | 2012.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括铜金属层；位于所述铜金属层上的阻挡层；位于所述阻挡层上的遮光层，所述遮光层用于遮挡紫外线；位于所述遮光层上的层间介质层，所述层间介质层是低K或超低K的多孔材料；还包括：位于所述阻挡层与所述遮光层之间的粘附层；所述遮光层的厚度范围包括：<img file="FDA0001041364130000011.GIF" wi="285" he="65" />所述遮光层的折射率范围包括：1.7～2.0；所述粘附层的厚度范围包括：<img file="FDA0001041364130000012.GIF" wi="260" he="70" />所述粘附层的折射率范围包括：1.7～1.85；所述粘附层的材料为富硅氮化硅；所述粘附层的压应力范围包括：50Mpa～250Mpa；所述遮光层的压应力范围包括：50Mpa～500Mpa。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||