| 发明名称 | 光酸发生剂及含有该光酸发生剂的抗蚀剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及抑制酸扩散而减少线边缘粗糙度，同时增加酸收率而显著提高抗蚀剂的光敏度，尤其是在利用远红外(EUV)光刻的图案形成时，能够显著提高抗蚀剂光敏度的光酸发生剂及含有该光酸发生剂的抗蚀剂组合物，所述光酸发生剂由下述化学式1表示：[化学式1]<img file="DDA0000389904560000011.GIF" wi="803" he="355" />所述化学式1中，各取代基如在说明书中所定义。 | ||
| 申请公布号 | CN103728834B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201310454690.3 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 锦湖石油化学株式会社 | 发明人 | 朱炫相;金三珉;韩俊熙;裵昌完;任铉淳 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;C07C381/12(2006.01)I;C07C309/73(2006.01)I;C07C303/28(2006.01)I;C07C309/12(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 下述化学式1的光酸发生剂：[化学式1]<img file="FDA0000978764430000011.GIF" wi="757" he="331" />在上述化学式1中，所述V<sub>1</sub>及V<sub>2</sub>各自独立地为卤素基；所述W<sub>1</sub>及W<sub>2</sub>各自独立地为氢原子或卤素基；所述X为羰基；所述R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>各自独立地为氢原子中的1‑5个由三氟甲基吸电子体取代或未取代的碳原子数为6的芳基；所述R<sub>3</sub>为氢或碳原子数为1‑4的烷基；所述a为1‑4的整数，b为0‑5的整数，c为1‑3的整数，d为1‑3的整数；及所述A+为有机抗衡离子。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||