发明名称 | 一种低温沉积磁控溅射镀膜装置 | ||
摘要 | 本实用新型公开一种低温沉积磁控溅射镀膜装置,包括磁控靶和辅助电极,磁控靶设于基材的一侧或两侧,磁控靶的一侧或两侧设置辅助电极。其方法是在基材一侧设置磁控靶,在磁控靶外侧设置辅助电极,磁控靶对基材进行溅射镀膜时,通过辅助电极实施正偏压,利用异性相吸的原理,将溅射过程中产生的电子吸附到辅助电极表面,减少电子对基材表面的轰击,降低基材的温升,从而实现长时间的低温沉积。本实用新型可克服电子轰击对基材表面温升的影响,防止不耐温材料沉积过程中出现起皱折、拉伸、变形等缺陷,从而提高产品质量,由于可长时间进行低温沉积膜层,不仅能提高生产效率,镀膜设备中也可省去冷却机构的设置,降低生产成本,加强市场竞争力。 | ||
申请公布号 | CN205821446U | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
申请号 | CN201620666812.4 | 申请日期 | 2016.06.27 |
申请人 | 广东腾胜真空技术工程有限公司 | 发明人 | 朱文廓;朱刚劲;朱刚毅 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 谢静娜;裘晖 |
主权项 | 一种低温沉积磁控溅射镀膜装置,其特征在于,包括磁控靶和辅助电极,磁控靶设于基材的一侧或两侧,磁控靶的一侧或两侧设置辅助电极。 | ||
地址 | 526060 广东省肇庆市端州一路宾日工业村 |