发明名称 具有复位功能的半导体存储器
摘要 一种同步动态随机存取存储器(SDRAM)集成电路(IC),被配置成接收用于复位IC的外部Reset信号,包括输入缓冲器,该输入缓冲器被配置成从外部Reset信号生成经缓冲的复位信号RST。SDRAM IC进一步包括复位电路,该复位电路被配置成从(a)RST信号,(b)时钟使能信号CKE,以及(c)模式寄存器编程信号MRS<SUB>P</SUB>生成内部复位信号Reset En,其中时钟使能信号CKE指示SDRAM准备好接收外部命令的时间,模式寄存器编程信号MRS<SUB>P</SUB>指示模式寄存器将加载数据的时间。
申请公布号 CN101263559A 申请公布日期 2008.09.10
申请号 CN200680033314.5 申请日期 2006.09.13
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李日豪
分类号 G11C7/20(2006.01);G11C7/22(2006.01) 主分类号 G11C7/20(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 杨林森;杨红梅
主权项 1.一种同步动态随机存取存储器(SDRAM)集成电路(IC),被配置成接收用于复位所述IC的外部Reset信号,所述SDRAM IC包括:输入缓冲器,被配置成从所述外部Reset信号生成经缓冲的复位信号RST;以及复位电路,被配置成从(a)所述RST信号、(b)时钟使能信号CKE以及(c)模式寄存器编程信号MRSp生成内部复位信号Reset_En,其中所述时钟使能信号CKE表示所述SDRAM准备好接收外部命令的时间,所述模式寄存器编程信号MRSp表示模式寄存器将加载数据的时间。
地址 韩国京畿道