发明名称 |
具有复位功能的半导体存储器 |
摘要 |
一种同步动态随机存取存储器(SDRAM)集成电路(IC),被配置成接收用于复位IC的外部Reset信号,包括输入缓冲器,该输入缓冲器被配置成从外部Reset信号生成经缓冲的复位信号RST。SDRAM IC进一步包括复位电路,该复位电路被配置成从(a)RST信号,(b)时钟使能信号CKE,以及(c)模式寄存器编程信号MRS<SUB>P</SUB>生成内部复位信号Reset En,其中时钟使能信号CKE指示SDRAM准备好接收外部命令的时间,模式寄存器编程信号MRS<SUB>P</SUB>指示模式寄存器将加载数据的时间。 |
申请公布号 |
CN101263559A |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
申请号 |
CN200680033314.5 |
申请日期 |
2006.09.13 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
李日豪 |
分类号 |
G11C7/20(2006.01);G11C7/22(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/20(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨林森;杨红梅 |
主权项 |
1.一种同步动态随机存取存储器(SDRAM)集成电路(IC),被配置成接收用于复位所述IC的外部Reset信号,所述SDRAM IC包括:输入缓冲器,被配置成从所述外部Reset信号生成经缓冲的复位信号RST;以及复位电路,被配置成从(a)所述RST信号、(b)时钟使能信号CKE以及(c)模式寄存器编程信号MRSp生成内部复位信号Reset_En,其中所述时钟使能信号CKE表示所述SDRAM准备好接收外部命令的时间,所述模式寄存器编程信号MRSp表示模式寄存器将加载数据的时间。 |
地址 |
韩国京畿道 |