| 发明名称 | 硅基片Ⅲ族氮基半导体生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明介绍了III族氮基半导体材料及其制作方法，该材料是在一中间复合过渡层的表面之上生长的，该过渡层的构成如下：一层二硼化锆薄膜或应力消除膜或是两者的复合物；一层可与二硼化锆晶格匹配的Al<SUB>0.26</SUB>Ga<SUB>0.74</SUB>N，还有粘附于硅(111)基片上的Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(0＝＜x＜＝1)基单层或多层缓冲层。中间复合过渡层可在硅(111)基片的部分或整个表面生长，它的作用是：外延层与基片之间晶格匹配出错时，它可防止晶体缺陷的发生并扼制晶格参差差排的蔓延。然后，就有至少一层或多层优质III族氮基半导体材料在中间复合过渡层之上生长。 | ||
| 申请公布号 | CN100466177C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200410074063.8 | 申请日期 | 2004.09.02 |
| 申请人 | 张宇顺;张雄 | 发明人 | 张宇顺;张雄 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人 | 彭长久 |
| 主权项 | 1.一种硅基片III族氮基半导体生长方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：在第一温度下，以单分子硼氢化物Zr(Bh4)4为前驱体，在硅基片的部分或整个表面上MOCVD生长ZrB2薄膜；在高于900摄氏度的第二温度下，在已生成的ZrB2薄膜之上MOCVD生长Al0.26Ga0.74N层，该层与ZrB2晶格匹配；在第三温度下，在上述Al0.26Ga0.74N层之上MOCVD生长AlxGa1-xN，其中0<＝x<＝1III族氮化物单层或多层缓冲层，及：在第四温度下，在中间复合过渡层之上生长至少一层或是多层III族氮基半导体，而该中间复合过渡层是由如下缓冲层构成：ZrB2薄膜，III族氮化物Al0.26Ga0.74N层以及单层或多层AlxGa1-xN层，其中0<＝x<＝1。 | ||
| 地址 | 510000广东省东莞市塘厦镇128工业区 | ||