发明名称 纳米结构、纳米复合物基的组合物及光生伏打装置
摘要 本发明提供一种纳米复合物光生伏打装置,其总地包括作为至少一部分光活性层的半导体纳米晶体。本发明的特征也在于包含芯-壳纳米结构和/或两种纳米结构族群的光生伏打装置和其他层状装置,其中的纳米结构不必是纳米复合物的部分。本发明也提供此类装置的各种不同结构体,包括挠性和硬性的结构体、平面及非平面的结构体及类似结构,和结合有此类装置的系统;本发明还提供制造该装置的方法及用于制造该装置的系统。本发明的特征还在于:包含材料不同的两种纳米结构族群的组合物。
申请公布号 CN100466297C 申请公布日期 2009.03.04
申请号 CN03824102.1 申请日期 2003.09.04
申请人 奈米系统股份有限公司 发明人 艾立克·雪尔;米海A·布勒堤;凯文·邱;史帝芬·艾姆皮朵克里斯;安德烈·麦瑟;J·瓦勒斯·帕司
分类号 H01L31/0256(2006.01);H01L31/0272(2006.01);H01L31/0296(2006.01);H01L31/0352(2006.01);H01L31/036(2006.01);H01L31/04(2006.01) 主分类号 H01L31/0256(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 张宜红
主权项 1.一种制造光生伏打装置的方法,包含下述步骤:提供第一平面基板,该平面基板上设置有第一导电层;生长至少第一和第二纳米结构族群,所述纳米结构呈现第II型带偏移的能量分布;在第一基板上沉积光活性层,该光活性层包括所述的第一和第二纳米结构族群;在光活性层上沉积第二导电层,形成光生伏打装置,其中所述的第一和第二纳米结构的族群不会从光生伏打装置中的任何层中长出来。
地址 美国加利福尼亚州