发明名称 |
半导体封装件的制造方法以及半导体封装件 |
摘要 |
在半导体封装件中,芯片焊盘,半导体元件,连接构件以及引线的表面通过硅烷耦合剂被进行表面处理,半导体元件的表面中接合有连接构件的半导体元件的一面含有露出有机物的第一区域,和露出无机物的第二区域,第一区域与封装树脂之间的接合强度比第二区域与封装树脂之间的接合强度弱。 |
申请公布号 |
CN105684142A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201480003328.7 |
申请日期 |
2014.09.29 |
申请人 |
新电元工业株式会社 |
发明人 |
见泽有市;长瀬健男 |
分类号 |
H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/29(2006.01)I |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 31204 |
代理人 |
郁旦蓉 |
主权项 |
一种半导体封装件的制造方法,其特征在于,依次包括:将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序,将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序,将所述芯片焊盘,所述半导体元件,所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理的表面处理工序,以及将所述芯片焊盘,所述半导体元件,所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装的封装工序,其中,在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域,和露出无机物的第二区域,所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。 |
地址 |
日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号 |