发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供在三电平逆变器模块中使额定电流大容量化的同时减小电感的半导体装置。所述半导体装置具备多个半导体单元和将多个半导体单元在电气上并联的连接单元,半导体单元具有:层叠基板,其具有绝缘板和在绝缘板的主表面配置的电路板;多个半导体元件,其背面固定于电路板,并在正面具有主电极;布线部件,其与半导体元件的主电极电连接,其中,通过层叠基板、半导体元件和布线部件在半导体单元的内部构成三电平逆变器电路。 |
申请公布号 |
CN105742278A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201510873959.0 |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
仲村秀世;田久保扩;山田隆二 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
金玉兰;王颖 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具备多个半导体单元和将多个所述半导体单元在电气上并联的连接单元,所述半导体单元具有:层叠基板,其具有绝缘板和在所述绝缘板的主表面配置的电路板;多个半导体元件,其背面固定于所述电路板,并在正面具有主电极;布线部件,其与所述半导体元件的所述主电极电连接,其中,通过所述层叠基板、所述半导体元件和所述布线部件,在所述半导体单元的内部构成三电平逆变器电路。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |