用来提高晶体管沟道中的应变效应的方法和设备

摘要

本发明公开了一种用来提高晶体管沟道中的应变效应的方法和设备，并提供了一种具有增大应力的晶体管沟道的半导体器件。为了得到增大了应力的晶体管沟道，氮化物膜被择优地形成在器件衬底上，而在栅叠层部分上很少有或没有氮化物。氮化物膜可以被择优地仅仅淀积在硅衬底上成为不共形层，其中，很少或没有氮化物被淀积在栅叠层的上部上。氮化物膜也可以被均匀地淀积在硅衬底和栅叠层上成为共形层，而在稍后的步骤中择优地清除栅叠层上部附近的氮化物膜。在某些实施方案中，借助于清除栅叠层的上部而清除栅叠层顶部附近的氮化物。在任何方法中，借助于最小化淀积在栅叠层上的氮化物，同时保留淀积在衬底上的氮化物，增大了晶体管沟道中的应力。

主权项

1.一种在具有设置在衬底上的栅叠层的半导体器件中增大应力的方法，它包含：沿衬底的表面和栅叠层淀积氮化物膜，其中的氮化物膜在衬底表面上更厚，而在栅叠层部分上更薄。