| 发明名称 | 非易失存储器装置和用于其的操作方法 | ||
| 摘要 | 在一种实施方式中，非易失存储器装置包括在基底中形成的第一传导类型的井，和串联到形成在该井中的位线的第一多个存储器单元晶体管。缓存器形成在该井外的所述基底中并且连接到所述位线。将至少一个去耦晶体管配置为将所述缓存器与所述位线去耦，而且所述去耦晶体管形成在所述井中。 | ||
| 申请公布号 | CN101038922A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710084948.X | 申请日期 | 2007.02.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金大容;黄相元;朴准镛 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C16/04(2006.01);G11C16/24(2006.01);G11C16/14(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 郭定辉;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储器装置，包括：在基底上形成的第一传导类型的井；串联到位线并且在该井中形成的第一多个存储器单元晶体管；形成在该井之外的基底中并且连接到该位线的缓存器；和至少一个去耦晶体管，其配置为将所述缓存器与所述位线去耦，所述去耦晶体管形成在该井中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||