EPITAXIAL SILICON CARBIDE WAFER MANUFACTURING METHOD

摘要

본 발명은 SiC 기판 상에 SiC를 에피택셜 성장시켜 에피택셜 SiC 웨이퍼를 제조할 때에, 적층 결함 및 코멧 결함을 종래보다도 더욱 저감시킨 고품질 에피택셜 막을 갖는 에피택셜 SiC 웨이퍼를 얻는 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 에피택셜 탄화규소 웨이퍼의 제조 방법은, 에피택셜 성장의 개시 전에 성장로에 흐르게 하는 성장 전 분위기 가스가, 수소 가스를 함유하고 잔부가 불활성 가스 및 불가피적 불순물이며, 상기 수소 가스가 불활성 가스에 대해 0.1∼10.0체적％ 함유하는 것을 특징으로 한다.