| 发明名称 | 透明导电氧化物薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：采用第一功率，在衬底上制备第一层薄膜；采用第二功率，在第一层薄膜上制备第二层薄膜；其中，第二功率大于第一功率。本发明提供的透明导电氧化物薄膜的制备方法，由于采用低功率制备出的TCO薄膜平整致密均匀，对衬底薄膜起到了很好的保护作用，因此，避免了采用高功率制备TCO薄膜时，溅射粒子对衬底薄膜造成轰击损伤的问题，从而制备出了高质量的TCO薄膜，提高了太阳能电池的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103147041B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310051864.1 | 申请日期 | 2013.02.17 |
| 申请人 | 英利集团有限公司 | 发明人 | 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰;宋登元 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，应用于磁控溅射设备，其特征在于，包括以下步骤：采用第一功率，在衬底上制备第一层薄膜，所述衬底为透明导电氧化物薄膜制备前的太阳能电池片；采用第二功率，在第一层薄膜上制备第二层薄膜；其中，第二功率大于第一功率；所述第一功率为1W～500W，包括端点值，所述第二功率为2000W～5000W，包括端点值。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市翠园街722号 | ||