发明名称 集成微热沉系统及其制备方法
摘要 本发明涉及一种集成微热沉系统及其制备方法,由玻璃片和硅片键合而成,在硅片的一个面上加工有均匀平行分布的微型冷却通道,另一面的氧化膜层上与微型冷却通道对应的区域中,纵向布置若干组微型测温元件和微型发热元件,每组元件均横向均匀平行布置,在氧化膜层及其上的元件上覆盖低温氧化层,低温氧化层上沉积一层氮化硅绝缘层,从微型测温元件和微型发热元件引出输入输出铝硅导线。本发明特别采用了哑铃形微型测温元件和蛇状微型发热元件,缩短了发热元件与散热元件之间的距离,降低散热热阻,从而提高单位体积内的换热面积,增大换热量,同时使芯片温度的测量更加精确可靠,可用于微电子芯片发热系统的模拟试验。
申请公布号 CN101086987A 申请公布日期 2007.12.12
申请号 CN200710041126.3 申请日期 2007.05.24
申请人 上海交通大学 发明人 吴慧英;郑平;刘恩光
分类号 H01L27/02(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/302(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 毛翠莹
主权项 1、一种集成微热沉系统,由玻璃片(1)和硅片(2)键合而成,在硅片(2)的与玻璃片(1)接触的侧面上加工有若干条均匀平行分布的微型冷却通道(3),其特征在于在所述硅片(2)另一侧面的氧化膜层(4)上与微型冷却通道(3)对应的区域中,纵向布置若干组微型测温元件(9)和若干组微型发热元件(5),每组微型测温元件(9)和每组微型发热元件(5)均横向均匀平行布置,在氧化膜层(4)及其上的元件上覆盖一层低温氧化层(6),低温氧化层(6)上沉积一层氮化硅绝缘层(7),从每组微型测温元件(9)和每组微型发热元件(5)分别引出的输入输出铝硅导线(8)经铝硅导线节点(11)连接外部元件。
地址 200240上海市闵行区东川路800号