发明名称 研磨结束时间点之预测、检测方法及其装置、以及即时膜厚监视方法及其装置
摘要
申请公布号 TWI353446 申请公布日期 2011.12.01
申请号 TW096135015 申请日期 2007.09.20
申请人 日本東京精密股份有限公司 日本 发明人 藤田隆;横山利幸;北出惠太
分类号 G01N27/72;H01L21/304 主分类号 G01N27/72
代理机构 代理人 黄长发 台北市大安区忠孝东路4段250号11楼之6
主权项 一种研磨结束时间点之预测、检测方法,系预测并检出将导电性膜研磨并适当地除去既定的导电性膜时的研磨结束时间点,其特征为使高频电感器型感测器中的电感器接近前述既定的导电性膜,监视依该电感器形成的磁力线所诱发于前述既定的导电性膜之涡电流变化之方法系具有在根据研磨中、研磨除去而减少前述导电性膜的膜厚之过程中,利用以前述既定的导电性膜之材质为一要素所决定出的表皮效应使贯通前述导电性膜的磁力线增大以增加诱发于导电性膜之涡电流的步骤,以及之后透过可产生涡电流之实质的导电性膜之减少使得被诱发之前述涡电流转换为减少的步骤,且根据该转换步骤的变化点,检出膜厚基准点,再从该膜厚基准点来预测研磨结束时间点;其中与上述导电性膜接近的高频电感器型感测器系二次元平面电感器;且与上述导电性膜接近的高频电感器型感测器为,作成在由絶缘体所形成的基板之表面涂布导电性膜后以蚀刻方式来制作的构成。
地址 日本