| 发明名称 |
扩展第二位元操作裕度的记忆体结构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI354289 |
申请公布日期 |
2011.12.11 |
| 申请号 |
TW095124103 |
申请日期 |
2006.07.03 |
| 申请人 |
旺宏電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 |
发明人 |
吴昭谊 |
| 分类号 |
G11C16/04 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种用于增大记忆体操作裕度的记忆体元件，前述记忆体元件具有左位元和右位元，前述记忆体元件包括：通道区，其配置在汲极区与源极区之间，前述通道区具有通道长度；电荷陷入结构，其在前述通道区上且具有与前述通道区的前述通道长度对准的长度；以及导电层，其在前述电荷陷入结构上且具有与前述通道区的前述通道长度对准的长度，其中，前述记忆体元件在程式化步骤之前或程式化步骤之后被抹除为负的临界电压准位。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
