用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件

摘要

一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

主权项

1.一种形成基于氮化物的化合物半导体多层结构的方法，该方法包括步骤：在一个基底层上形成基于氮化物的化合物半导体的非晶体层；至少在所述非晶体层上或在所述非晶体层中有氧原子存在；选择地蚀刻所述非晶体层以形成至少一个开口，借此形成部分蚀刻的非晶体层；和在存在氧气时结晶所述部分蚀刻的非晶体层，以便形成部分蚀刻的基于氮化物的化合物半导体晶体层，以及允许氧原子的存在来抑制所述基于氮化物的化合物半导体的至少一种类型的原子的质量交换；其中，所述部分蚀刻的基于氮化物的化合物半导体晶体层的氧引入区域具有至少为8E18cm-3的氧浓度。