Verfahren zur Strukturierung einer Nitridschicht, strukturierte Dielektrikumschicht, optoelektronisches Bauelement, Ätzverfahren zum Ätzen von Schichten und Umgebungssensor

摘要

Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Nitridschicht (2) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen der Nitridschicht (2), die mit Siliziumnitrid einer ersten Art gebildet ist, B) Definieren von zu transformierenden Bereichen (40) der Nitridschicht (2), C) Einbringen der Nitridschicht (2) in eine Transformationskammer für die Dauer einer Transformationszeit, wobei die Transformationszeit derart gewählt ist, dass – wenigstens 80 % der zu transformierenden Bereiche (40) der Nitridschicht (2) in Oxidbereiche (41), die mit Siliziumoxid gebildet sind, transformiert werden und – übrige Bereiche (21) der Nitridschicht (2) zu wenigstens 80 % untransformiert bleiben.