发明名称 |
整流电路及电源 |
摘要 |
本实用新型实施例公开了一种整流电路及电源。其中,整流电路包括:二个以上MOSFET,所述二个以上MOSFET在PCB上集中设置;及散热片,所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。本实用新型实施例通过将整流电路中的MOSFET在PCB上集中设置,并采用散热片覆盖所有的MOSFET,使MOSFET产生的热量传递到散热片,通过散热片向外散出,可以获得较好的散热效果,解决了在开关电源输出端的整流电路中具有多个MOSFET时的散热问题。 |
申请公布号 |
CN205670746U |
申请公布日期 |
2016.11.02 |
申请号 |
CN201620537279.1 |
申请日期 |
2016.06.03 |
申请人 |
北京比特大陆科技有限公司 |
发明人 |
张金宝;陈娜 |
分类号 |
H02M7/217(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/217(2006.01)I |
代理机构 |
北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 |
代理人 |
毛丽琴 |
主权项 |
一种整流电路,其特征在于,包括:二个以上金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,所述二个以上MOSFET在印制电路板PCB上集中设置;及散热片,所述散热片覆盖于所述二个以上MOSFET的上表面。 |
地址 |
100029 北京市海淀区奥北产业基地项目6号楼2层 |