| 发明名称 | 形成磁性随机存取存储器的磁性隧道结层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)层的方法。在衬底上顺序形成下部材料层、绝缘层和上部材料层。在上部材料层的预定区域上形成掩模图案。使用由蚀刻气体产生的等离子顺序去除环绕掩模图案形成的上部材料层、绝缘层和下部材料层，其中，蚀刻气体是具有预定混合比的主要气体和附加气体的混合物，但是不包括氯(Cl<SUB>2</SUB>)气。去除掩模图案。这样可以在室温下执行蚀刻处理。因此，有可能避免对MTJ层产生热损伤。蚀刻处理的副产品不稳定，可以避免副产品沉积在MTJ层的两侧，MTJ层具有良好剖面。由于氯(Cl<SUB>2</SUB>)气不用作蚀刻气体，因此可避免在MTJ层的两侧产生阶差，并且可避免MTJ层受到不必要的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1538539A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN200410039761.4 | 申请日期 | 2004.01.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄淳元;宋利宪;金泰完 |
| 分类号 | H01L43/12;H01L21/70;G11C11/14 | 主分类号 | H01L43/12 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制造磁性随机存取存储器的磁性隧道结层的方法，包括：在衬底上顺序形成一下部材料层、一绝缘层和一上部材料层；在该上部材料层的预定区域上形成一掩模图案；使用由蚀刻气体产生的等离子顺序去除环绕掩模图案形成的所述上部材料层、所述绝缘层和所述下部材料层，其中，蚀刻气体是具有预定混合比的主要气体和附加气体的混合物，但是不包括氯气；和去除掩模图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||