| 摘要 |
一実施形態において、ＬＥＤダイの透明成長基板（３８）が、例えばレーザによって形成されたボイドなどの、光散乱領域（４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４２Ａ、４２Ｂ）を有するように形成される。他の一実施形態において、成長基板（３８）が除去され、光散乱領域（４２Ａ、４２Ｂ、５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ）を有するように形成された別の基板（５７）で置き換えられる。一実施形態において、ＬＥＤダイの光吸収性領域（２８）の上に光散乱領域が形成されて、これら吸収性領域上への入射光の量が低減されるとともに、基板の側面にわたって光散乱領域が形成されて導光が抑制される。置換基板（５７）は、選択された領域に反射粒子を含むように形成され得る。反射領域を含有する基板層（８２、８４）を積層することによって３Ｄ構造が形成されてもよい。基板は、透明基板、又はＬＥＤの頂面に取り付けられた蛍光体タイルとし得る。 |
